AI 火热催生 HBM 需求，消息称三星电子有意引入 SK 海力士使用的 MUF 封装工艺
时间：2024-03-14 09:25:08
导读： 路透社表示，三星电子将采用竞争对手SK海力士主导的MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。 三位......
路透社表示，三星电子将采用竞争对手SK海力士主导的MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封装工艺，而非此前坚持使用的非导电薄膜（NCF）技术。 三位直接知情人士称，三星已经发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单。“三星必须采取一些措施来提高其HBM良率……采用MUF技术对三星来说有点像是抛弃自尊心的决定，因为这相当于效仿了SK海力士的行为。”
有分析师表示，三星的HBM3芯片生产良率约为10-20%，而SK海力士的HBM3生产良率约为60-70%。随着AI行业的火热，业界对于HBM3和HBM3E需求越来越高，三星必须尽快做出改变。 消息人士称，三星还在与包括日本长濑集团在内的材料供应商洽谈采购MUF材料的事宜，但使用这一技术的高端芯片最早要到明年才能实现量产，因为三星还需要进行大量测试。IT之家注：长濑产业株式会社是拥有近200年历史的日本十大商社之一，是全世界最大的专业化工商社。 三位消息人士还表示，三星计划在其最新的HBM芯片中使用NCF和MUF技术。 三星回应称，其内部开发的NCF技术是适用于HBM产品的“最佳解决方案”，并将用于其HBM3E芯片，后续“将按照计划推进HBM3E产品业务”，而英伟达和长濑拒绝置评。
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